Prvý eUFS 2.1 (embedded Universal Flash Storage) čip od Samsungu s 1 TB kapacitou je na svete. Doteraz mal vo svojom portfóliu čip s maximálnou veľkosťou 512 GB, ktorý je použitý v jednej z verzií Galaxy Note 9.
Čoskoro budú mať záujemcovia o neštandardne veľké pamäťové úložisko možnosť kúpiť si zariadenie s kapacitou, ktorú zvyčajne nájdeme len v notebookoch vyšších kategórií.
Čip s veľkosťou 11,5 x 13 mm zdvojnásobuje kapacitu predchádzajúcej 512 GB verzie kombináciou 16-tich naukladaných vrstiev 512 gigabitových (Gb) V-NAND flash pamätí s novým riadiacim obvodom.
Vysokokapacitné úložisko je vhodné pre ukladanie 4K videí. Podľa výrobcu novinka umožní uloženie približne 260-tich 10-minútových videí vo formáte 4K, zatiaľ čo 64 GB pamäť je schopná uložiť len 13 videí rovnakej veľkosti.
1 TB eUFS čip má vyššie prenosové rýchlosti než jeho 512 GB predchodca. Pri čítaní dát sa rýchlosť zvýšila z 860 Mbps na 1000 Mbps, pri zapisovaní je čip rýchlejší len o 5 Mbps, ponúka 260 Mbps (vs. 255 Mbps).
Samsung nový pamäťový či už zaradil do výroby, a tak je možné, že sa s ním stretneme v niektorej z pripravovaných noviniek radu Galaxy S10. Hovorí sa o top verzii s kombináciou 12 GB RAM a 1 TB úložiska. Oficiálne informácie vám prinesieme 20. februára. Na prezentácii v San Francisku nebude chýbať ani zástupca našej redakcie.
Zdroj: news.samsung.com
Diskusia k článku: